5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ58 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ58A | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ60 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ60 | INTERSIL |
获取价格 |
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| BUZ60B | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ60B | INTERSIL |
获取价格 |
4.5A, 400V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| BUZ60C67078-S1312-A2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
|
| BUZ60-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ60-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BUZ60-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
