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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ50C-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ51-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ53 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ53A | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BUZ53C | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
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| BUZ54 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BUZ54A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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