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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 参考标准： | IEC-134 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ53C | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ54 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BUZ54A | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BUZ58 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ58A | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ60 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ60 | INTERSIL |
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5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ60B | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ60B | INTERSIL |
获取价格 |
4.5A, 400V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ60C67078-S1312-A2 | ETC |
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TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
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