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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 80 pF | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 240 ns | 最大开启时间（吨）： | 105 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ61 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ61A | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ61A-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ61A-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ61A-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ61C67078-S1341-A2 | ETC |
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TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
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| BUZ61-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BUZ61-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BUZ61-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BUZ63 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
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