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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | 雪崩能效等级（Eas）： | 6 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 125 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ7116 | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 50V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ71A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 50V - 0.1W - 13A TO-220 STripFET] POWER MOSFET |
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| BUZ71A | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ71A | INTERSIL |
获取价格 |
13A, 50V, 0.120 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ71A | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ71A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BUZ71A16 | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ71A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
12 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ71AA | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 50V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUZ71AA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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