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BUZ60

更新时间： 2024-02-21 22:07:12

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英特矽尔 - INTERSIL		/
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5页	45K
描述
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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BUZ60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.14	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	60 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	205 ns
最大开启时间（吨）：	105 ns	Base Number Matches：	1

BUZ60 数据手册

BUZ60

Semiconductor

Data Sheet

October 1998

File Number 2260.1

5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power

MOSFET

Features

• 5.5A, 400V

• r = 1.000Ω

[ /Title

(BUZ60

)

/Sub-

ject

This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power

ﬁeld effect transistor designed for applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

This type can be operated directly from integrated circuits.

DS(ON)

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

(5.5A,

400V,

1.000

Ohm,

N-Chan-

nel

Power

MOS-

FET)

Formerly developmental type TA17414.

• Majority Carrier Device

Ordering Information

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

BUZ60

TO-220AB

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

/Author

()

/Key-

words

(Harris

Semi-

conduc-

tor, N-

Chan-

nel

Packaging

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

Power

MOS-

FET,

DRAIN (FLANGE)

TO-

220AB)

/Cre-

ator ()

/DOCIN

FO pdf-

mark

[ /Page-

Mode

/Use-

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ60B	INFINEON	获取价格	main ratings
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BUZ61A-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BUZ61A-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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