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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.24 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ50C-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50C-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ51-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BUZ51-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ53 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
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| BUZ53A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| BUZ53C | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ54 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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