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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ50B-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| BUZ50C | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
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| BUZ50C-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50C-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50C-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ51-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ53 | INFINEON |
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