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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ48A | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220 |
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| BUZ50A | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
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| BUZ50A | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BUZ50A220M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
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| BUZ50A-220M | TTELEC |
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MOSFETs and JFETs |
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| BUZ50A220M-ISO | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
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| BUZ50A-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50A-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50A-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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