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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ50B220M-ISO | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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| BUZ50B-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| BUZ50B-E3045 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| BUZ50B-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| BUZ50C | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) |
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| BUZ50C-E3044 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50C-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ50C-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BUZ51 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ51-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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