是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.33 |
雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 9.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 170 pF |
JEDEC-95代码: | TO-218 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 125 W | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 38 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 570 ns | 最大开启时间(吨): | 195 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUZ354 | INFINEON |
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main ratings | |
BUZ355 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |
BUZ355 | ROCHESTER |
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6A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | |
BUZ355 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-218 | |
BUZ355C67078-S3107A2 | INFINEON |
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TRANSISTOR MOSFET TO 247 | |
BUZ356 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |
BUZ357 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |
BUZ358 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |
BUZ36 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB | |
BUZ360 | INFINEON |
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