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BUZ353

更新时间: 2024-02-10 01:02:06
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英飞凌 - INFINEON /
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6页 185K
描述
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BUZ353 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.33
雪崩能效等级(Eas):700 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):9.5 A
最大漏极电流 (ID):9.5 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):170 pF
JEDEC-95代码:TO-218JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:125 W最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):38 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):570 ns最大开启时间(吨):195 ns
Base Number Matches:1

BUZ353 数据手册

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