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BUZ342

更新时间： 2024-09-24 22:08:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 218K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated Ultra low on-resistance)

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BUZ342 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-218AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUZ342 数据手册

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BUZ 342  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
• Ultra low on-resistance  
• 175°C operating temperature  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
DS(on)  
Package  
Ordering Code  
D
Ω
BUZ 342  
50 V  
60 A  
0.01  
TO-218 AA  
C67078-S3135-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
60  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 150 °C  
C
Pulsed drain current  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
C
240  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
mJ  
Ω
I = 60 A, V = 25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 128 µH, T = 25 °C  
460  
j
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 0 A, V = 0 V, di /dt = 0 A/µs  
S
DS  
F
T
= 0 °C  
jmax  
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
400  
Operating temperature  
T
T
-55 ... + 175 °C  
-55 ... + 175  
j
Storage temperature  
stg  
≤
Thermal resistance, chip case  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
R
R
0.37  
K/W  
thJC  
≤ 75  
thJA  
E
55 / 175 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  
1234567...9

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