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BUZ346

更新时间： 2024-02-28 12:30:25

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	157K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ346 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	72 mJ
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	58 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	750 pF	JEDEC-95代码：	TO-218AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	125 W	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	232 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	890 ns
最大开启时间（吨）：	290 ns	Base Number Matches：	1

BUZ346 数据手册

BUZ 346

Not for new design

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 346

50 V

58 A

0.018 Ω

TO-218 AA

C67078-S3120-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 73 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

232

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

4.5

jmax

I = 58 A, V = 25 V, R = 25 Ω

L = 21.4 µH, T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

170

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

Thermal resistance, chip case

≤ 0.74

K/W

thJC

thJA

≤

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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