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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 41 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 41 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 400 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 164 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 585 ns | 最大开启时间（吨）： | 210 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3151 | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| BUZ344 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ345C67078-S3121-A2 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
|
| BUZ346 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ346S2 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ347 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ348 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ349 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ35 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ350 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ351 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ351 | INTERSIL |
获取价格 |
11.5A, 400V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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