是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.24 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 38 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSZ22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSC22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUZ32SMD | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor | |
BUZ330 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |
BUZ330 | MOTOROLA |
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9.5A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC | |
BUZ330 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-218 | |
BUZ330C67078-S3105-A2 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 | |
BUZ331 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | |
BUZ331 | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | |
BUZ332 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor(N Channel) | |
BUZ332A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor(N Channel) | |
BUZ334 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |