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BUZ32H3045A

更新时间: 2024-11-12 09:03:03
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10页 1238K
描述
SIPMOS Power Transistor

BUZ32H3045A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.24其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):120 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9.5 A最大漏极电流 (ID):9.5 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):38 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUZ32H3045A 数据手册

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BUZ 32 H3045A  
. Pb-free lead plating; RoHS compliant  
. Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Pb-free  
PG-TO263-3  
BUZ32 H3045A  
Yes  
Rev. 2.2  
2009-11-10  

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