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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ330 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ330 | MOTOROLA |
获取价格 |
9.5A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC |
|
| BUZ330 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-218 |
|
| BUZ330C67078-S3105-A2 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
|
| BUZ331 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ331 | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
|
| BUZ332 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor(N Channel) |
|
| BUZ332A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor(N Channel) |
|
| BUZ334 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ338 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
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