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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 570 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ32CHIP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.5A I(D) | CHIP |
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| BUZ32-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ32-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ32-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ32H | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ32H3045A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ32SMD | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ330 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ330 | MOTOROLA |
获取价格 |
9.5A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC |
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| BUZ330 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-218 |
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