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BUZ32

更新时间: 2024-02-24 01:18:05
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页数 文件大小 规格书
9页 198K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

BUZ32 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):120 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):9.5 A
最大漏极电流 (ID):9.5 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):38 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BUZ32 数据手册

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BUZ 32  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
)
DS(on  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 32  
200 V  
9.5 A  
0.4 Ω  
TO-220 AB  
C67078-S1310-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
I
I
A
D
T = 29 °C  
C
9.5  
Pulsed drain current  
Dpuls  
AR  
T = 25 °C  
C
38  
Avalanche current,limited by T  
9.5  
6.5  
jmax  
Avalanche energy,periodic limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
jmax  
AR  
AS  
E
I = 9.5 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
L = 2 mH, T = 25 °C  
120  
j
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
75  
Operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... + 150 °C  
-55 ... + 150  
j
stg  
Thermal resistance, chip case  
R
1.67  
K/W  
thJC  
thJA  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
R
75  
E
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  

BUZ32 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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