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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 38 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ32-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ32-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BUZ32H | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ32H3045A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
|
| BUZ32SMD | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ330 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
|
| BUZ330 | MOTOROLA |
获取价格 |
9.5A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AC |
|
| BUZ330 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 500V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-218 |
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| BUZ330C67078-S3105-A2 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
|
| BUZ331 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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