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BUZ31LHKSA1

更新时间： 2024-01-24 09:40:48

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	589K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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BUZ31LHKSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	13.5 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	54 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUZ31LHKSA1 数据手册

BUZ 31L

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

• Logic Level

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Pb-free

DS(on)

BUZ 31 L

200 V

13.5 A

0.2

Ω

PG-TO220-3

Yes

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 28 ˚C

13.5

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 ˚C

13.5

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

I = 13.5 A, V

= 50 V, R

= 25

Ω

L = 1.65 mH, T = 25 ˚C

200

Gate source voltage

ESD-Sensitivity HBM as per MIL-STD 883

Power dissipation

Class 1

tot

T = 25 ˚C

Operating temperature

-55 ... + 150

˚C

K/W

Storage temperature

stg

Thermal resistance, chip case

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

≤

1.32

thJC

thJA

55 / 150 / 56

Rev. 2.3

Page 1

2009-03-30

12 3 4 5 6 7...10

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与BUZ31LHKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ31SMD	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor
BUZ32	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ32	INTERSIL	获取价格	9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
BUZ323	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ325	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ326	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ32CHIP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 9.5A I(D) \| CHIP
BUZ32-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ32-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ32-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met