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BUZ312

更新时间： 2024-11-11 22:16:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 215K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ312 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：830 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-218AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUZ312 数据手册

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BUZ 312  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
)
DS(on  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 312  
1000 V  
6 A  
1.5 Ω  
TO-218 AA  
C67078-S3129-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
I
I
A
D
T = 33 °C  
C
6
Pulsed drain current  
Dpuls  
AR  
T = 25 °C  
C
24  
6
Avalanche current,limited by T  
jmax  
Avalanche energy,periodic limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
E
17  
mJ  
jmax  
AR  
AS  
E
I = 6 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
L = 43.8 mH, T = 25 °C  
830  
j
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
150  
Operating temperature  
T
T
-55 ... + 150 °C  
-55 ... + 150  
j
Storage temperature  
stg  
Thermal resistance, chip case  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
R
≤ 0.83  
K/W  
thJC  
thJA  
R
75  
E
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ31C67078-S1304A2 ETC

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