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BUZ312

更新时间： 2024-02-28 01:14:16

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	215K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ312 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.47
雪崩能效等级（Eas）：	830 mJ	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	170 pF	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	850 ns
最大开启时间（吨）：	230 ns

BUZ312 数据手册

BUZ 312

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 312

1000 V

6 A

1.5 Ω

TO-218 AA

C67078-S3129-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 33 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

I = 6 A, V = 50 V, R = 25 Ω

L = 43.8 mH, T = 25 °C

830

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

150

Operating temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

Storage temperature

stg

Thermal resistance, chip case

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

≤ 0.83

K/W

thJC

thJA

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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