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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 95 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 58 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ31H3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BUZ31H3046XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BUZ31HXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BUZ31L | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) |
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| BUZ31LH | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ31LHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BUZ31SMD | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ32 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ32 | INTERSIL |
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9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ323 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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