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BUZ311

更新时间： 2024-09-23 22:16:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	244K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

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BUZ311 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.3 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-218AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUZ311 数据手册

BUZ 311

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 311

1000 V

2.5 A

5 Ω

TO-218 AA

C67078-A3102-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

1000

DGR

Ω

= 20 k

1000

2.5

Continuous drain current

T = 25 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

± 20

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... ...+ 150 °C

-55 ... ...+ 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

1.6

K/W

thJC

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

thJA

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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