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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 69 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0902NS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ0902NS_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| BSZ0902NSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0902NSI | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ0902NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| BSZ0904NSI | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ0905PNS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0909LS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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