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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ0902NS_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| BSZ0902NSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0902NSI | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ0902NSI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
|
| BSZ0904NSI | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ0905PNS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0909LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0909NDXTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ0909NS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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