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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0037 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ0902NSI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| BSZ0904NSI | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0905PNS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0909LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSZ0909NDXTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0909NS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ0909NSXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSZ096N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ097N04LS G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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