生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.57 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.17 A | 最大漏源导通电阻: | 6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 6.3 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSS123 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS123L99Z | TI |
获取价格 |
170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
BSS123-L99Z | TI |
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170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
BSS123LT1 | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT1 | MOTOROLA |
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TMOS FET Transistor(N-Channel) | |
BSS123LT1/D | ETC |
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TMOS FET Transistor | |
BSS123LT1D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123-MR | ETC |
获取价格 |
MOSFET BSS123 MINIREEL 500PCS |