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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.44 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.17 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS123LT1D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123-MR | ETC |
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MOSFET BSS123 MINIREEL 500PCS |
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| BSS123N | INFINEON |
获取价格 |
所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 |
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| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSS123Q | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS123-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 |
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| BSS123Q-13-F | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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