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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSS123LT1
BSS123LT1 PDF预览

BSS123LT1

更新时间： 2024-11-17 22:14:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
TMOS FET Transistor(N-Channel)

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BSS123LT1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.17 A
最大漏极电流 (ID)：0.17 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS123LT1 数据手册

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by BSS123LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
3 DRAIN  
Motorola Preferred Device  
1
GATE  
3
2 SOURCE  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
DSS  
100  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 21  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate–Source Voltage  
— Continuous  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
GSM  
p
Drain Current  
Adc  
(1)  
Continuous  
(2)  
I
0.17  
0.68  
D
Pulsed  
I
DM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(3)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BSS123LT1 = SA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
100  
—
—
Vdc  
(BR)DSS  
(V  
GS  
= 0, I = 250 µAdc)  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 0, V = 100 Vdc) T = 25°C  
I
µAdc  
DSS  
—
—
—
—
15  
60  
GS  
DS  
J
T = 125°C  
J
Gate–Body Leakage Current  
(V = 20 Vdc, V = 0)  
I
—
—
50  
nAdc  
GSS  
GS  
DS  
(4)  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
V
0.8  
—
—
5.0  
—
2.8  
6.0  
—
Vdc  
Ω
GS(th)  
(V  
DS  
= V , I = 1.0 mAdc)  
GS  
D
Static Drain–Source On–Resistance  
(V = 10 Vdc, I = 100 mAdc)  
r
DS(on)  
GS  
Forward Transconductance  
(V = 25 Vdc, I = 100 mAdc)  
D
g
fs  
80  
mmhos  
DS  
D
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.  
2. Pulse Width  
3. FR–5 = 1.0  
300 s, Duty Cycle  
0.75 0.062 in.  
2.0%.  
4. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1997
1234

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