生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.17 A |
最大漏源导通电阻: | 10 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 6 pF | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS123LT1 | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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BSS123LT1 | MOTOROLA |
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TMOS FET Transistor(N-Channel) |
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BSS123LT1/D | ETC |
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TMOS FET Transistor |
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BSS123LT1D | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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BSS123LT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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BSS123LT3 | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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BSS123LT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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BSS123-MR | ETC |
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MOSFET BSS123 MINIREEL 500PCS |
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BSS123N | INFINEON |
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所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。 |
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BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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