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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 6 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS123-L99Z | TI |
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170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| BSS123LT1 | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT1 | MOTOROLA |
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TMOS FET Transistor(N-Channel) |
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| BSS123LT1/D | ETC |
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TMOS FET Transistor |
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| BSS123LT1D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
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| BSS123LT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |
|
| BSS123-MR | ETC |
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MOSFET BSS123 MINIREEL 500PCS |
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| BSS123N | INFINEON |
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所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 |
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