是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.57 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.17 A |
最大漏源导通电阻: | 6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 6.3 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSS123 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS123L6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSS123L99Z | TI |
获取价格 |
170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
BSS123-L99Z | TI |
获取价格 |
170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | |
BSS123LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS FET Transistor(N-Channel) | |
BSS123LT1/D | ETC |
获取价格 |
TMOS FET Transistor | |
BSS123LT1D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts | |
BSS123LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts |