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BSS123L6327HTSA1

更新时间: 2024-11-20 15:28:47
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 94K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

BSS123L6327HTSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.57
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):0.17 A
最大漏源导通电阻:6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):6.3 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS123L6327HTSA1 数据手册

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BSS 123  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= 0.8...2.0V  
GS(th)  
Pin 1  
G
Pin 2  
S
Pin 3  
D
Type  
Package  
Marking  
VDS  
100 V  
ID  
RDS(on)  
BSS 123  
0.17 A  
6
SOT-23  
SAs  
Type  
Ordering Code  
Q62702-S512  
Q67000-S245  
Tape and Reel Information  
BSS 123  
BSS 123  
E6327  
E6433  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
100  
V
DS  
V
DGR  
= 20 k  
R
100  
GS  
Gate source voltage  
V
±
20  
GS  
ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883  
Continuous drain current  
Class 1  
I
A
D
T = 28 ˚C  
0.17  
0.68  
0.36  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 ˚C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 ˚C  
A
Data Sheet  
1
05.99  

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