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BSP60T/R

更新时间: 2024-01-02 23:23:55
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 155K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 45V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223

BSP60T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.68外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.3 VBase Number Matches:1

BSP60T/R 数据手册

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