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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-223 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP603S2L | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| BSP60 | INFINEON |
类似代替 |
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP61-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BSP61-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP61T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI |
|
| BSP61-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP61-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP61TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| BSP61TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP62 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
|
| BSP62 | NXP |
获取价格 |
PNP Darlington transistors |
|
| BSP62 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
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