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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.43 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP61T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI |
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| BSP61-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP61-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP61TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP61TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP62 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
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| BSP62 | NXP |
获取价格 |
PNP Darlington transistors |
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| BSP62 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BSP62 | NEXPERIA |
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PNP Darlington transistorProduction |
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| BSP62,115 | NXP |
获取价格 |
BSP60; BSP61; BSP62 - PNP Darlington transistors SC-73 4-Pin |
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