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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 1500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PZTA64 | ONSEMI |
功能相似  |
PNP 达林顿晶体管 |
|
| BSP62 | NEXPERIA |
功能相似 |
PNP Darlington transistorProduction |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP62,115 | NXP |
获取价格 |
BSP60; BSP61; BSP62 - PNP Darlington transistors SC-73 4-Pin |
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| BSP62E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BSP62E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BSP62-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BSP62-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP Darlington transistorProduction |
|
| BSP62-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI |
|
| BSP62T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP62T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
|
| BSP62T3 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN |
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