Datasheet > BSP62

BSP62

更新时间： 2025-07-20 11:08:59

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
PNP Darlington transistorProduction

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSP62 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BSP62 数据手册

BSP62

PNP Darlington transistor

2 May 2018

Product data sheet

1. General description

PNP Darlington transistor in an SOT223 plastic package.

NPN complement: BSP52

2. Features and benefits

•

High current of -1 A

•

Low voltage of -80 V

Integrated diode and resistor

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Industrial switching applications such as:

- Print hammer

- Solenoid

- Relay and lamp drivers

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_CBO

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-90

Unit

collector-base voltage open emitter

V_CES

collector-emitter

voltage

base short-circuited to emitter

-80

I_C

collector current

-1

-2

I_CM

h_FE

peak collector current

DC current gain

V_CE= -10 V; I_C= -150 mA

[1]

1000

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

BSP62 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCP28	INFINEON	类似代替	PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current Hig
BSP62	NXP	类似代替	PNP Darlington transistors
PZTA64	FAIRCHILD	功能相似	PNP Darlington Transistor

与BSP62相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSP62,115	NXP	获取价格	BSP60; BSP61; BSP62 - PNP Darlington transistors SC-73 4-Pin
BSP62-E6433	INFINEON	获取价格	Transistor
BSP62-Q	NEXPERIA	获取价格	PNP Darlington transistorProduction
BSP62-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62E6327	ROCHESTER	获取价格	1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BSP62E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BSP62E6327HTSA1	INFINEON	获取价格	元器件封装:PG-SOT223-4;
BSP62T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSP62

BSP62 技术参数

BSP62 数据手册

BSP62 替代型号

与BSP62相关器件

与BSP62相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSP62

BSP62 技术参数

BSP62 数据手册

BSP62 替代型号

与BSP62相关器件

与BSP62相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？