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BSP61

更新时间: 2024-11-29 22:39:39
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 66K
描述
PNP Darlington transistors

BSP61 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-73
包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.21Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:1.5 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.3 VBase Number Matches:1

BSP61 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BSP60; BSP61; BSP62  
PNP Darlington transistors  
1999 Apr 29  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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