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BSP61

更新时间： 2024-11-29 22:39:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 157K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

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BSP61 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：1500 ns
最大开启时间（吨）：400 nsBase Number Matches：1

BSP61 数据手册

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PNP Silicon Darlington Transistors  
BSP 60  
… BSP 62  
● High collector current  
● Low collector-emitter saturation voltage  
● Complementary types: BSP 50 … BSP 52 (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
4
BSP 60  
BSP 61  
BSP 62  
BSP 60  
BSP 61  
BSP 62  
Q62702-P1166  
Q62702-P1167  
Q62702-P1168  
B
C
E
C
SOT-223  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
BSP 60 BSP 61 BSP 62  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CER  
CB0  
EB0  
45  
60  
60  
80  
80  
90  
V
V
V
5
1
I
I
I
C
A
Peak collector current  
Base current  
CM  
2
B
0.1  
1.5  
150  
Total power dissipation, T  
S
= 124 ˚C  
P
tot  
W
Junction temperature  
Tj  
˚C  
Storage temperature range  
T
stg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 72  
≤ 17  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1
12345

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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