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BSP61T/R

更新时间: 2024-11-30 20:33:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BSP61T/R 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-73包装说明:PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.23
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:1.5 W最大功率耗散 (Abs):1.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
VCEsat-Max:1.3 VBase Number Matches:1

BSP61T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BSP60; BSP61; BSP62  
PNP Darlington transistors  
Product data sheet  
2001 May 31  
Supersedes data of 1999 Apr 29  

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1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR