5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.46 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1500 ns | 最大开启时间（吨）： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP62-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BSP62-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP Darlington transistorProduction |
|
| BSP62-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI |
|
| BSP62T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
|
| BSP62T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
|
| BSP62T3 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN |
|
| BSP62-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
