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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 1500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP62-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BSP62-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP Darlington transistorProduction |
|
| BSP62-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI |
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| BSP62T1 | MOTOROLA |
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MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP62T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
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| BSP62T3 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN |
|
| BSP62-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP62TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
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