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BSP62

更新时间: 2024-11-29 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 66K
描述
PNP Darlington transistors

BSP62 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-73
包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.2外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1.5 W
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:1.3 V
Base Number Matches:1

BSP62 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BSP60; BSP61; BSP62  
PNP Darlington transistors  
1999 Apr 29  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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