捷配首页

Datasheet > BSP613PL6327
BSP613PL6327 PDF预览

BSP613PL6327

更新时间： 2025-07-19 21:14:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 495K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSP613PL6327 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.65其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A最大漏极电流 (ID)：2.9 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：11.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP613PL6327 数据手册

 浏览型号BSP613PL6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSP613PL6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSP613PL6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSP613PL6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSP613PL6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSP613PL6327的Datasheet PDF文件第7页 
BSP613P  
Ò
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
R
-60  
0.13  
-2.9  
V
DS  
· P-Channel  
W
A
DS(on)  
· Enhancement mode  
· Avalanche rated  
· dv/dt rated  
I
D
PG-SOT223  
· Ideal for fast switching buck converter  
Drain  
pin 2,4  
Gate  
pin1  
• Qualified according to AEC Q101  
Source  
pin 3  
•
Halogen­free according to IEC61249­2­21  
Type  
BSP613P  
Package  
Tape and reel  
Packaging  
Marking  
PG-SOT223  
H6327: 1000pcs/r. Non Dry  
BSP613P  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-2.9  
-2.3  
A
T =70°C  
A
-11.6  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
150  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
E
AS  
AR  
I =2.9 A , V =-25V, R =25W  
D
DD  
GS  
0.18  
6
Avalanche energy, periodic limited by T  
Reverse diode dv/dt  
jmax  
kV/µs  
dv/dt  
I =2.9A, V =-48V, di/dt=-200A/µs, T  
DS  
=150°C  
jmax  
S
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
±20  
1.8  
GS  
W
P
tot  
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
ESD Class  
JESD22-A114-HBM  
Class 1c  
Rev.2.7  
Page 1  
2012-11-26  
12345678

中文翻译

下载PDF

与BSP613PL6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP613PL6327HUSA1 INFINEON

获取价格

 		元器件封装:PG-SOT223-4;
BSP613P_07 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP615S2L INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
BSP61E6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		元器件封装:PG-SOT223-4;
BSP61H6327XTSA1 INFINEON

获取价格

 		元器件封装:PG-SOT223-4;
BSP61T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI
BSP61TRL YAGEO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BSP61TRL13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BSP62 NXP

获取价格

 		PNP Darlington transistors
BSP62 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio

与BSP613PL6327相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证