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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP615S2L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| BSP61-E6433 | INFINEON |
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Transistor |
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| BSP61-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP61T/R | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BI |
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| BSP61-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP61-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP61TRL | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| BSP61TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP62 | INFINEON |
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PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
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| BSP62 | NXP |
获取价格 |
PNP Darlington transistors |
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