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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 900 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 650 ns | 标称接通时间 (ton)： | 190 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM600GA120DLCHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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| BSM600GA120DLCS | ROCHESTER |
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IGBT, MODULE-5 |
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| BSM600GA120DLCSHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| BSM651F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) |
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| BSM652F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) |
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| BSM681F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 5.3A I(D) |
|
| BSM682F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) |
|
| BSM691F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 4.8A I(D) |
|
| BSM692F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) |
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| BSM-7100-1 | GAMEWELL-FCI |
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Compact Analog Addressable Fire Alarm Control Panel |
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