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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 625 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 520 ns | 标称接通时间 (ton)： | 100 ns |
| VCEsat-Max： | 3.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM75DU-24H | MITSUBISHI |
功能相似  |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| MG75Q2YS52 | TOSHIBA |
功能相似 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GB160D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| BSM75GB170DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB170DN2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT Power Module |
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| BSM75GB60DLC | EUPEC |
获取价格 |
Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB60DLCHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| BSM75GD120DLC | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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| BSM75GD120DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel d |
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| BSM75GD60DLC | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| BSM75GP60 | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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| BSMT05-05-075 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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