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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 103 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X39 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 39 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 520 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 520 ns | 标称接通时间 (ton)： | 100 ns |
| VCEsat-Max： | 3.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM75TU-24H | MITSUBISHI |
功能相似  |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GD60DLC | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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| BSM75GP60 | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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| BSMT05-05-075 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-05-120 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-05-150 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
|
| BSMT05-05-180 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-05-200 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-05-250 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-05-330 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-12-075 | BTCPOWER |
获取价格 |
5A SIP & SMT 12V Input DC-DC Converters |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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