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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GB170DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB170DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM75GB60DLC | EUPEC |
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Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB60DLCHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| BSM75GD120DLC | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM75GD120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel d |
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| BSM75GD60DLC | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM75GP60 | ETC |
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IGBT Module |
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| BSMT05-05-075 | BTCPOWER |
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5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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| BSMT05-05-120 | BTCPOWER |
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5A SIP & SMT 5V Input DC-DC Converters |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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