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BSM75GB170DN2

更新时间： 2024-11-16 12:50:07

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EUPEC		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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10页	313K
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IGBT Power Module

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BSM75GB170DN2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	HALF-BRIDGE 1, 7 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	740 ns
标称接通时间 (ton)：	550 ns	VCEsat-Max：	3.9 V
Base Number Matches：	1

BSM75GB170DN2 数据手册

BSM 75 GB 170 DN2

IGBT Power Module

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

• R

= 22 Ohm

G on,min

Type

Package

Ordering Code

BSM 75 GB 170 DN2

1700V 110A HALF-BRIDGE 1

C67070-A2702-A67

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1700

CGR

= 20 kW

1700

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

110

T = 80 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

220

150

T = 80 °C

Power dissipation per IGBT

tot

T = 25 °C

625

Chip temperature

+ 150

°C

Storage temperature

-40 ... + 125

stg

Thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip case

Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance

0.2

K/W

thJC

0.63

4000

Vac

Clearance

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

sec

40 / 125 / 56

Oct-27-1997

12 3 4 5 6 7...10

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