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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GB120D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| BSM75GB120DL | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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| BSM75GB120DLC | EUPEC |
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Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB120DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM75GB160D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| BSM75GB170DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB170DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM75GB60DLC | EUPEC |
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Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB60DLCHOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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