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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 130 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 520 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 2.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM75GB120DLC | EUPEC |
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Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM75GB120DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM75GB160D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 100A I(C) |
|
| BSM75GB170DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
|
| BSM75GB170DN2 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT Power Module |
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| BSM75GB60DLC | EUPEC |
获取价格 |
Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
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| BSM75GB60DLCHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| BSM75GD120DLC | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM75GD120DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel d |
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